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少子寿命测试仪DP-100A
少子寿命测试仪DP-100A是参照半导体设备和材料组织SEMI标准MF1535-0707及标准GB/T 26068-2010设计制。并且我单位是微波反射法标准起草单位之。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。
寿命测量范围：0.25μs-10ms；样品电阻率下限>0.5Ω·cm。 微波光电导载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号：DP-100A DP-100A型微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准MF1535-0707及标准GB/T 26068-2010设计制。并且我单位是微波反射法标准起草单位之。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。
寿命测量范围：0.25μs-10ms；样品电阻率下限>0.5Ω·cm。
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| 少子寿命测试仪DP-100A的详细资料 | ||||||||||||||
少子寿命测试仪DP-100A
少子寿命测试仪DP-100A是参照半导体设备和材料组织SEMI标准MF1535-0707及标准GB/T 26068-2010设计制。并且我单位是微波反射法标准起草单位之。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。
寿命测量范围：0.25μs-10ms；样品电阻率下限>0.5Ω·cm。 微波光电导载流子复合寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号：DP-100A DP-100A型微波光电导载流子复合寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准MF1535-0707及标准GB/T 26068-2010设计制。并且我单位是微波反射法标准起草单位之。本设备采用微波反射无接触光电导衰退测量方法，适用于厚度为1mm以下的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，提供无接触、无损伤、数字显示的快速测量。寿命测量可灵敏地反映半导体重金属污染及缺陷存在的情况，是半导体质量的重要检测项目。
寿命测量范围：0.25μs-10ms；样品电阻率下限>0.5Ω·cm。
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