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DP-x-5600ROHS及无卤素检测仪
产品名称:DP-x-5600ROHS及无卤素检测仪
产品型号:DP-x-5600
品牌:亚欧
产品数量:
产品单价: 面议
日期:2024-09-14
 ROHS及无卤素检测仪 ROHS及无卤素测试仪 型号:DP-x-5600

产品详情:

DP-X-5600是种体现X射线荧光分析新展的能量色散X射线荧光光谱仪。可行无卤素(氯Cl、溴Br、碘I)测量它采用低功率小型X光管为激发源,电制冷硅半导体探测器为探测单元,再加上我公司门开发的应用软件,充分发挥各部件的优异性能,保证了整台仪器的分辨率及通用适应性。任何需要多元素同时分析的地方,正是它大有作为之处。下面将该仪器的资料作简单介绍。

整机规格:

激发源:本机采用低功率 X 射线管(Ag靶),zui电压可达50KV,zui大电流1mA

压电源:zui大50W,50KV,1mA

探测器:电制冷 Si PIN半导体探测器(55Fe的能量为5.9Kev的MnKα线,分辨率优于149eV)

多道分析器:2048道

软件:基于WINDOWS的强大工作软件。定量分析包括:经验系数法,理论a系数法和基本参数法。定性分析包括: KL线标记,谱图和光标寻峰等。客户可行二次开发,自行开发任意多个分析方法。

6电源:交流220V 50Hz

7体积:520mm x 600mm x 270mm

8重量:约 42kg (主机)

整机性能:

测量元素范围宽:从铝(13)至铀(92)都可测量

可测量含量范围,从ppm至

测量速度快,通常为几十秒到几分钟

多元素同时定性定量

蜂位漂移:八小时小于1%

口探测器的性能指标:

探测器类型:电制冷Si-PIN

探测面积:2.4x2.8mm(6mm2)

硅活化区厚度:500um

探测器分辨率: 对于55Fe,@5.9keV 对于12us的形成时间,半宽为149Ev

探测器窗口:铍窗,12.5um厚

口压电源规格:

电压和电流从零至满量程连续可调,zui大50KV,1mA

电压调整率:负载调整率:从空载到满载,电压变化为满量程的 0.01 %

线性调整率:对于规定的输入电压范围,该数值为满量程的0.01%

电流调整率:负载调整率:从空载到满载,电流变化为满量程0.01%

线性调整率:对于规定的输入电流范围,该数值为满量程的0.01%

稳定性:经过半小时预热后,每8小时变化不0.05%

温度系数:温度变化度,电压变化不过0.01%

详细参数:

测量范围:Pb,Hg,Cr,Cd,Br,Cl

测量精度:低于100ppm时度15ppm,大于100ppm时,度15%

分析元素:Pb,Hg,Cr,Cd,Br,Cl

检出限:Pb:3.2 mg/kg (ppm)

Hg:3.2 mg/kg (ppm)

Cr:4.1 mg/kg (ppm)

Cd:5.8 mg/kg (ppm)

Br:3.1 mg/kg (ppm)

Cl:2.4 mg/kg (ppm)

测量时间:30秒——120秒可选

X射线源:X光管

工作环境温度:10℃——45℃

工作环境湿度:20%——80%

压器:50Kv

操作系统:windows XP

DP-x-5600ROHS及无卤素检测仪的详细资料
 ROHS及无卤素检测仪 ROHS及无卤素测试仪 型号:DP-x-5600

产品详情:

DP-X-5600是种体现X射线荧光分析新展的能量色散X射线荧光光谱仪。可行无卤素(氯Cl、溴Br、碘I)测量它采用低功率小型X光管为激发源,电制冷硅半导体探测器为探测单元,再加上我公司门开发的应用软件,充分发挥各部件的优异性能,保证了整台仪器的分辨率及通用适应性。任何需要多元素同时分析的地方,正是它大有作为之处。下面将该仪器的资料作简单介绍。

整机规格:

激发源:本机采用低功率 X 射线管(Ag靶),zui电压可达50KV,zui大电流1mA

压电源:zui大50W,50KV,1mA

探测器:电制冷 Si PIN半导体探测器(55Fe的能量为5.9Kev的MnKα线,分辨率优于149eV)

多道分析器:2048道

软件:基于WINDOWS的强大工作软件。定量分析包括:经验系数法,理论a系数法和基本参数法。定性分析包括: KL线标记,谱图和光标寻峰等。客户可行二次开发,自行开发任意多个分析方法。

6电源:交流220V 50Hz

7体积:520mm x 600mm x 270mm

8重量:约 42kg (主机)

整机性能:

测量元素范围宽:从铝(13)至铀(92)都可测量

可测量含量范围,从ppm至

测量速度快,通常为几十秒到几分钟

多元素同时定性定量

蜂位漂移:八小时小于1%

口探测器的性能指标:

探测器类型:电制冷Si-PIN

探测面积:2.4x2.8mm(6mm2)

硅活化区厚度:500um

探测器分辨率: 对于55Fe,@5.9keV 对于12us的形成时间,半宽为149Ev

探测器窗口:铍窗,12.5um厚

口压电源规格:

电压和电流从零至满量程连续可调,zui大50KV,1mA

电压调整率:负载调整率:从空载到满载,电压变化为满量程的 0.01 %

线性调整率:对于规定的输入电压范围,该数值为满量程的0.01%

电流调整率:负载调整率:从空载到满载,电流变化为满量程0.01%

线性调整率:对于规定的输入电流范围,该数值为满量程的0.01%

稳定性:经过半小时预热后,每8小时变化不0.05%

温度系数:温度变化度,电压变化不过0.01%

详细参数:

测量范围:Pb,Hg,Cr,Cd,Br,Cl

测量精度:低于100ppm时度15ppm,大于100ppm时,度15%

分析元素:Pb,Hg,Cr,Cd,Br,Cl

检出限:Pb:3.2 mg/kg (ppm)

Hg:3.2 mg/kg (ppm)

Cr:4.1 mg/kg (ppm)

Cd:5.8 mg/kg (ppm)

Br:3.1 mg/kg (ppm)

Cl:2.4 mg/kg (ppm)

测量时间:30秒——120秒可选

X射线源:X光管

工作环境温度:10℃——45℃

工作环境湿度:20%——80%

压器:50Kv

操作系统:windows XP

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