| 磁电阻效应实验仪的详细资料 | ||||||||||||||
磁电阻效应实验仪 型号;DP-FD-MR-C 磁电阻传感器由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、伪钞检测、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb )传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻传感器,有着十分重要的应用价值。 本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种类型的传感器:利用砷化镓( GaAs )霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟( InSb )磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。 应用该实验仪可以成以下实验: • 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。 • 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 • 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别行拟合。 • 研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流性(倍频效应),观测其有的物理现象。 该仪器具有研究性和设计性实验的点,可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验,也可用于演示实验。 仪器主要参数: 1 .磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 - 3mA 连续可调。 2 .数字式毫仪 测量范围 0 - 199.9mT 分辨率 0.1mT ,液晶显示 3 .数字电压表 测量范围 0 - 1999mV 分辨率 1mV ,液晶显示 |
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