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数字式太阳能硅晶体少子寿命测试仪 型号:DP-LT-200 1. 仪器应用范围及说明 本设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法”设计制。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次十多个单位巡回测试的考验,证明是种成熟可靠的测试方法,别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量;也可对硅片行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,因此制样别简便。 数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下点: 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面行测量,仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。 1.1 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。 1.2 液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。 1.3 配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。 1.4 测量范围宽广 测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω•cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω•cm范围内的硅单晶、锗单晶厚度小于1mm的抛光片。 2. 设备要求及性能指标 2.1 少子寿命测试范围:0.5μs~6000μs 2.2 样品的电阻率范围:ρ﹥0.1Ω·cm(非回炉料) 2.3 测试速度:1分钟/片 2.4 红外光源波长: 0.904~0.905μm 2.5 频振荡源:用石英谐振器,振荡频率:30MHZ 2.6 前置放大器,放大倍数约25,频宽2HZ-2MHZ 2.7 可测单晶尺寸:断面竖测: 直径25mm-150mm;厚度2mm-500mm 纵向卧测:直径5mm-20mm;长度50mm-200mm 2.8 测量方式:采用数字示波器直接读数方式 2.9 测试分辨率:用数字存储示波器zui小分辨率0.01μs 2.10 设备重量:20 Kg 2.11 仪器电源:电源电压类型:单相210~230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压,不能与未做保护措施的大功率、频设备共用电源。 |
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| DP-LT-200 数字式太阳能硅晶体少子寿命测试仪的详细资料 | ||||||||||||||
数字式太阳能硅晶体少子寿命测试仪 型号:DP-LT-200 1. 仪器应用范围及说明 本设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法”设计制。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次十多个单位巡回测试的考验,证明是种成熟可靠的测试方法,别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量;也可对硅片行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,因此制样别简便。 数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下点: 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面行测量,仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。 1.1 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。 1.2 液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。 1.3 配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。 1.4 测量范围宽广 测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω•cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω•cm范围内的硅单晶、锗单晶厚度小于1mm的抛光片。 2. 设备要求及性能指标 2.1 少子寿命测试范围:0.5μs~6000μs 2.2 样品的电阻率范围:ρ﹥0.1Ω·cm(非回炉料) 2.3 测试速度:1分钟/片 2.4 红外光源波长: 0.904~0.905μm 2.5 频振荡源:用石英谐振器,振荡频率:30MHZ 2.6 前置放大器,放大倍数约25,频宽2HZ-2MHZ 2.7 可测单晶尺寸:断面竖测: 直径25mm-150mm;厚度2mm-500mm 纵向卧测:直径5mm-20mm;长度50mm-200mm 2.8 测量方式:采用数字示波器直接读数方式 2.9 测试分辨率:用数字存储示波器zui小分辨率0.01μs 2.10 设备重量:20 Kg 2.11 仪器电源:电源电压类型:单相210~230V,50Hz,带电源隔离、滤波、稳压,不能与未做保护措施的大功率、频设备共用电源。 |
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