概述
     DP-2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，行两次电测量，对数据行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提度，别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。 
     仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。
     主机主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，USB通讯接口。仪器主机所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘和数码开关输入；具有零位、满度自校功能；测试功能可自动/手动方式；仪器操作可由配套软件在PC机上操作成，也可脱PC机由四探针仪器面板上操作成。测试结果数据由主机数码管直接显示，也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印！
     探头选配：根据不同材料性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。
     测试台选配：般四探针法测试电阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型测试台。
          
     仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、测量简便、结构紧凑、使用方便等点。
     仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
三、基本参数
3.1  测量范围
    电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
    电  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
    直    径：DP-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    DP-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
    长()度：测试台直接测试方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    测量方位: 轴向、径向均可
3.3.  4-1/2 位数字电压表：
    (1)量程： 20.00mV～2000mV
    (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.4  数控恒流源
   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A
   (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.5  四探针探头（选配其或加配全部）
   (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
   (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.6 电源
   输入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W
3.7 外形尺寸：
   主机  220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（）

概述
     DP-2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，行两次电测量，对数据行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提度，别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。 
     仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。
     主机主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，USB通讯接口。仪器主机所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘和数码开关输入；具有零位、满度自校功能；测试功能可自动/手动方式；仪器操作可由配套软件在PC机上操作成，也可脱PC机由四探针仪器面板上操作成。测试结果数据由主机数码管直接显示，也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印！
     探头选配：根据不同材料性需要，探头可有多款选配。有耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻行测量。
     测试台选配：般四探针法测试电阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型测试台。
          
     仪器具有测量精度、灵敏度、稳定性好、智能化程度、测量简便、结构紧凑、使用方便等点。
     仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试，别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。
三、基本参数
3.1  测量范围
    电阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm    方  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
    电  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)
    直    径：DP-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    DP-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
    长()度：测试台直接测试方式 H≤100mm,    手持方式不限.
    测量方位: 轴向、径向均可
3.3.  4-1/2 位数字电压表：
    (1)量程： 20.00mV～2000mV
    (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.4  数控恒流源
   (1)量程：0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA，1A
   (2)误差：±0.1%读数±2 字
3.5  四探针探头（选配其或加配全部）
   (1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
   (2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.6 电源
   输入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗：<20W
3.7 外形尺寸：
   主机  220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（）