摘要：少子寿命测试仪多子与少子是如何形成的，下面结合实际进行的介绍，希望能够帮助大家。
、少子寿命测试仪材料器件介绍
少子寿命是半导体材料和器件的一个重要参数,对半导体器件的正向压降、开关速度以及发光二管的发光效率都有影响。因此,准确地测得这个参数,对于半导体器件等行业具有重要意义。 少子寿命的测试方法有很多种,包括直流光电导衰减法、准稳态光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波反射光电导衰减法等,通过对几种具有代表性的测量少子寿命的方法进行对比分析。
第二、少子寿命测试仪的半导体材料栽子分析
1.半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
第三、少子寿命测试仪介绍多子少子的形成
多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。
第四、少子寿命测试仪主要特点：
1.适应低电阻率样片的测试需要，小样品电阻率可达0.1ohmcm。
2.全自动操作及数据处理。
3.对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理。
4.能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭。
5.可以选择测试样品上任意位置。
6.能提供的表面化学钝化处理方法。